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电阻法碳化硅长晶设备优势

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产品详情

电阻法碳化硅长晶设备优势

? 减少径向温度梯度(减少晶体内应力/避免晶体开裂/晶体生长表面平滑(凸度减少))   

? 提高晶体生长速率

? 晶体生长时间短(长晶时间从100小时降低到60小时左右)

? 晶体有效高度厚(有效厚度 20 ~ 30 mm)

? 实现高质量大尺寸碳化硅晶体生长(6英寸、8英寸及以上)


碳化硅长晶设备参数:

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